![]() |
|
|||||
|
Компания Macronix сообщила о разработке новой технологии, позволяющей вдвое увеличить емкость устройств на NOR чипов флэш-памяти при сохраниении прежних размеров чипов. Сообщается, что новая, основанная на нитридных соединениях технология позволяет "размещать" одновременно два бита информации в что делает процесс производства более дешевым расчете на бит информаии), в будущем существует развития представленной технологии.
Произведенные по Nbit-технологии ячейки памяти "захватывают" заряд одной своей стороне, этом его "перетекание" на другую половину крайне затруднено. В результате, появляется возможность сохранения второй "порции" заряда на противоположной стороне, что вдвое увеличивает количество бит на ячейку памяти. Программирование битов осуществляется при помощи инжекции горячих электронов, - при помощи процесса туннелирования.
Представители Macronix сообщают о 32 Мб продуктов, а в будущем планируется производство и Гб устройств на основе NOR флэш-памяти.
Источник: TomsHardware